IC de protección secundaria serie Hongkang 2-3
2020-09-04 15:51:40
hongling
IC de protección secundaria serie Hongkang 2-3
| 型号 | 封装型式 | 过充电检测电压【VCUN】 | 过充电释放电压【VCRN】 | 待机检测电压【VSB】 | 闭模式2检测电压【VSD2N】 | 过充电检测延迟时间【TOCN】 | 过充电释放延迟时间【TCRN】 | 过充电检测定时器复位延迟时间【TDTR】 | LDO输出电压【VLDO】 | 关闭模式2检测延迟时间【TSD2N】 | 下载 |
| HY2131-AF1A | TSOT-23-6 | 4.350 V | 4.050 V | 3.500 V | — | 6.0 s | 16 ms | 6 ms | — | — |
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| HY2131-BF1A | TSOT-23-6 | 4.450 V | 4.150 V | 3.500 V | — | 6.0 s | 16 ms | 6 ms | — | — |
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| HY2131-CF1A | TSOT-23-6 | 4.400 V | 4.100 V | 3.500 V | — | 6.0 s | 16 ms | 6 ms | — | — |
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| HY2131-DF1A | TSOT-23-6 | 4.500 V | 4.200 V | 3.500 V | — | 6.0 s | 16 ms | 6 ms | — | — |
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| HY2131-EF1A | TSOT-23-6 | 4.550 V | 4.250 V | 3.500 V | — | 6.0 s | 16 ms | 6 ms | — | — |
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| HY2131-DA2A | DFN6 | 4.500 V | 4.200 V | 3.500 V | — | 6.0 s | 16 ms | 6 ms | — | — |
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| HY2141-AA1C | DFN8(2.0x2.0mm) | 4.350 V | 4.050 V | — | 2.500 V | 6.0 s | 16 ms | 6 ms | 3.300 V | 6 s |
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| HY2141-BA1C | DFN8(2.0x2.0mm) | 4.400 V | 4.100 V | — | 2.500 V | 6.0 s | 16 ms | 6 ms | 3.300 V | 6 s |
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| HY2141-CA1C | DFN8(2.0x2.0mm) | 4.450 V | 4.150 V | — | 2.500 V | 6.0 s | 16 ms | 6 ms | 3.300 V | 6 s |
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| HY2141-DA1C | DFN8(2.0x2.0mm) | 4.500 V | 4.200 V | — | 2.500 V | 6.0 s | 16 ms | 6 ms | 3.300 V | 6 s |
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| HY2141-DA1D | DFN8(2.0x2.0mm) | 4.500 V | 4.200 V | — | 2.500 V | 6.0 s | 16 ms | 6 ms | 3.000 V | 6 s |
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| HY2141-EA1C | DFN8(2.0x2.0mm) | 4.550 V | 4.250 V | — | 2.500 V | 6.0 s | 16 ms | 6 ms | 3.300 V | 6 s |
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| HY2141-EA1D | DFN8(2.0x2.0mm) | 4.550 V | 4.250 V | — | 2.500 V | 6.0 s | 16 ms | 6 ms | 3.000 V | 6 s |
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